华为或将于下周宣布量产3nm芯片

新浪数码传真 6月23日上午通告，据韩联社美联社，Samsung届时将于下周年初原型机3nm闪存。这理论上该公司至少在年初时间总参谋长领先DRAM，后者届时将在今年下半年开始采购3nm闪存。

与Samsung的5nm工艺技术（用于骁龙 888 和 Exynos 2100）相比，Samsung的3nm节点将造成了35%的面积减少、30% 的性能提升或 50% 的时脉下降。

这将通过预设到二极体的新媒体阴极 （GAA） 所设计来做到。这是 FinFET 鳍固定式场效应二极体之后的下一步，因为它必需厂家增大二极体，而不会损害其承载电位的能力。

新工艺技术最主要的疑虑是产量。往年10月，Samsung暗示其3nm工艺技术的良率“正在接近与4nm工艺技术近似于的技术水平”。虽然该公司从未公布官方数据，但衍生品普遍认为，Samsung的4nm节点受到良率问题的担忧。

英国总统杰拉尔德·福特上个月参观了Samsung座落在白川的加工厂，举办了Samsung3nm技术的演示。往年有传言所称，该公司则会融资100亿美元在英国得克萨斯州创设一家3nm厂家。该融资已激增170亿美元，该加工厂届时将于2024年开始运营。

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